三星开始大规模生产基于第二代HBM技术的显存芯片

    导语：三星宣布开始大规模生产基于第二代HBM技术的显存芯片，它的数据传输速度可以达到256GBps，比现在市场上最好的DDR5内存芯片还要快7倍。

显存芯片

    新生产的20纳米显存芯片主要提供给服务器制造商，因为它们愿意采用最新的产品。新的显存芯片还可以大幅提升Nvidia、AMD显卡的性能并降低能耗。

    目前三星开始量产的4GB显存模组以4x8Gb规格封装，年底时三星还会开始生产8GB产品。它采用了20纳米制程和先进的HBM（高带宽内存）芯片设计，不只性能好，而且节能、稳定、尺寸小，非常适合用在下一代HPC（超级计算机高效能运算）系统和显卡中。

    去年10月时，三星曾推出128GB 3D TSV DDR RDIMM芯片，量产HBM2 DRAM标志着TSV（硅通孔）DRAM技术取得了里程碑式的突破。

    4GB HBM2封装下面是缓冲芯片，上面是4个8GB（1GB）容量的HBM2 DRAM芯片，它们通过TSV孔洞和微凸块焊接垂直连接在一起。每一块8GB HBM2芯片上有5000个TSV孔洞，比8GB TSV DDR芯片多了36倍，从而大大提升了数据传输速度。

    三星新显存的带宽高达256GB/s，比一代HBM DRAM显存芯片快了一倍。4GB GDDR5 DRAM芯片的带宽为36GBps，新芯片比它快了7倍。与此同时，新显存的能耗效率更高，它的每瓦特带宽比4GB GDDR5要高一倍，它还嵌入了ECC（错误检查与纠错）功能提高了芯片的稳定性。

    今年晚些时候，三星会推出8GB封装二代HBM显存。如果显卡采用8GB封装二代HBM显存，与GDDR5 DARM相比设计者可以节省95%的空间，从而为紧凑型、对显示计算性能要求高的设备提供更优的解决方案。

    蛋君说：三星的4GB HBM2显存采用其最高效的20nm工艺制造，结合先进的芯片设计，并且和此前的128GB DDR4内存一样使用了3D TSV立体硅穿孔技术。